Сотрудники Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН создали флешку на основе мультиграфена, которую они считают самой быстрой в мире. Принцип действия флеш-памяти основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в мультиграфене, что повышает ее быстродействие в два-три раза.
«Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — цитирует старшего научного сотрудника института Юрия Новикова «Наука в Сибири».
О налаживании производства флеш-памяти будущего пока говорить не приходится, поскольку для этого необходим завод стоимостью 5 млрд долларов, оснащенный самым современным оборудованием. Однако опытные образцы суперфлешки уже разработаны.
Недавно сообщалось о другом изобретении специалистов из Новосибирской области. Разработчики создали альтернативу сервисам Viber и WhatsApp под названием CliChat....
