Байрамов провел телефонные переговоры с премьер-министром Палестины

Лавров: Армению хотят оторвать от РФ

Источник CNN: Израиль и Иран не собираются воевать

Лавров прокомментировал рассматриваемый в Грузии законопроект об иноагентах

Все новости

© 2004 - 2024 Все права защищены.

Технология

Главная
Технология

На чипе с почтовую марку разместили 1 ТБ данных

8 августа 2013

00:18

Калифорнийский стартап Crossbar объявил о разработке чипов энергонезависимой памяти площадью 200 мм2 (меньше почтовой марки), которые способны вместить 1 ТБ информации.

В основе изобретения лежит разновидность резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory - RRAM), разработанная инженерами Crossbar. Ячейки памяти Crossbar состоят из трех элементов: нижнего неметаллического электрода, промежуточного слоя из аморфного кремния и верхнего металлического электрода, передает cnews.ru.

При подаче на ячейку электрического тока между электродами возникает напряжение, которое создает в промежуточном слое нити низкой проводимости, превращая его в проводник. Таким образом ячейка меняет свое состояние. Чтобы восстановить прежнее состояние материала и переключить ячейку обратно, производится повторная подача тока с другой полярностью.

Проприетарная технология Crossbar имеет ряд преимуществ, рассказали в компании. Одно из них заключается в отсутствии необходимости создавать между электродами ячейки высокое напряжение для переключения ее состояния.

Для того чтобы достичь высокой плотности хранения данных, инженеры предложили размещать слои ячеек RRAM друг над другом. В компании не уточнили, какое максимальное число слоев позволяет накладывать их технология.

Помимо увеличенной плотности, как утверждают в Crossbar, новая память предлагает в 20 раз более высокую скорость записи по сравнению с флэш-памятью NAND, в 10 раз больший срок службы по сравнению с NAND и «надежность, приближающуюся к памяти DRAM».

Предполагается, что новая память, обладающая низким потреблением энергии, найдет применение в смартфонах и планшетах, SSD-накопителях, надеваемой электронике и других устройствах.